Samsung 990 EVO 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
SAMSUNG
Article Code: OC082372 - Vendor Code: MZ-V9E1T0BW - EAN: 8806095300276
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Soluzione termica intelligente
L'etichetta del dissipatore di calore del 990 EVO facilita il controllo termico del chip NAND. L'algoritmo di controllo termico all'avanguardia di Samsung, abbinato alla tecnologia Dynamic Thermal Guard, garantisce prestazioni costanti e affidabili. Prestazioni al top, ma non a discapito del drive.
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Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è al cuore di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è anche integrata nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.
Performance
Velocità di lettura sequenziale più elevata, fino a 5.000 MB/s, il 43% in più rispetto al modello precedente.
Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 70% rispetto al modello precedente, che supporta il Modern Standby e una maggiore durata della batteria.
Versatilità
Migliora le prestazioni nel gaming, nel lavoro e nelle attività creative grazie alla compatibilità con PCIe® 4.0 x4 e PCIe® 5.0 x2.
| Dimensioni e peso | |
|---|---|
| Profondità | 2,38 mm |
| Altezza | 22 mm |
| Larghezza | 80 mm |
| Peso | 9 g |
| Condizioni ambientali | |
| Intervallo temperatura di funzionamento | 0 - 70 °C |
| Shock di funzionamento | 1500 G |
| Shock di non-funzionamento | 1500 G |
| Vibrazione di non-funzionamento | 20 G |
| Intervallo di temperatura | -40 - 85 °C |
| Range di umidità di funzionamento | 5 - 95% |
| Umidità | 5 - 95% |
| Gestione energetica | |
| Consumo energetico (in sospensione) | 0,005 W |
| Consumo energetico (inattivo) | 0,06 W |
| Tensione di esercizio | 3,3 V |
| Consumo di energia (in scrittura) | 4,5 W |
| Consumo di energia (in lettura) | 4,9 W |
| Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa) | 5 mW |
| Dati su imballaggio | |
| Tipo di imballo | Scatola |
| Altre caratteristiche | |
| Durata della garanzia | 5 anno/i |
| Caratteristiche | |
| Capacità SSD | 1 TB |
| Tempo medio tra guasti (MTBF) | 1500000 h |
| Versione di NVMe | 2.0 |
| Dimensioni dell'unità SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Algoritmi di sicurezza supportati | 256-bit AES |
| Revisione PCI Express CEM | 4.0 |
| Velocità di scrittura | 4200 MB/s |
| Velocità di lettura | 5000 MB/s |
| Classificazione per TBW | 600 |
| Lettura casuale (4KB) | 680000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Scrittura casuale (4KB) | 800000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Dimensione SSD | M.2 |
| Componente per | PC |
| Interfaccia | PCI Express 4.0 |
| Tipo memoria | V-NAND TLC |
| Linee dati dell'interfaccia PCI Express | x4 |
| Supporto di DevSIp (standby del dispositivo) | Sì |
| Supporto S.M.A.R.T. | Sì |
| Supporto TRIM | Sì |
| NVMe | Sì |
| criptaggio hardware | Sì |